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【学术报告】金刚石半导体及其电子器件的新进展

澳门皇冠金沙网站:2017-01-03  浏览数:次  字体:    来源:新闻网

报告题目:金刚石半导体及其电子器件的新进展

澳门皇冠金沙网站: 2017年1月6日下午        

地点:工程技术楼512            

报告人:王宏兴 教授

王宏兴,西安交通大学教授,西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心主任。王教授于2001年在日本德岛大学获得博士学位。2001-2003年,作为高级研究员,王博士加入了日本Nitride Semiconductor 公司从事GaN LED的研发和产业化工作;2003-2008年,作为执行董事,加入日本Dialight Japan 公司,从事CVD 及场致发光器件的研究工作;2008-2013年,作为研发经理,加入日本的SEKI Technotron 公司,开展微波等离子体CVD及单晶金刚石半导体的研发工作;于2012年作为“国家千人”特聘专家,王博士被引进到西安交通大学。其研究领域集中在宽禁带半导体材料与器件:(1III-VLED和功率器件;(2)单晶金刚石及其电子器件;(3)基于金刚石NV色心的量子器件;(4)宽禁带半导体材料生长用CVDMOCVDMPCVDDC-CVD等)。回国后,作为课题负责人,获得了国家“863”重大项目,基金委的“重大仪器专项”,十三五“国家重大研发项目”,陕西省重大研发项目等多项国家和地方重大项目的支持。申请和获得中、美、日、欧和PCT等专利100余项,发表文章100余篇。

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